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    >600V半桥驱动

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    车规级高压半桥非隔离栅极驱动器

    纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。

    纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。

    NSD1624x-Q1可兼容TTL/CMOS输入。高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。

    产品特性

    • 高压侧电压范围：+/-1200V（SOP14封装）；+/-700V（SOP8封装）

    • 低于35ns传播延时，低于7ns延时匹配

    • +4/-6A 驱动电流能力

    • 高低侧独立UVLO功能

    • 独立逻辑地管脚（SOP14封装）

    • 高达150kV/us的高压侧dV/dt抗干扰能力

    • 工作温度范围：-40℃~125℃

    • 通过AEC-Q100认证 

    应用场景

    • 半桥、全桥、LLC电源拓扑

    • 高效高密度工业、通信、服务器电源

    • 太阳能、电机驱动及新能源领域

    功能框图

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